600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Расчеты

Проектирование и изготовление копланарных ламинированных проводников

Расчеты электромагнитных параметров копланарных шин и проводников

Основным параметром, который необходимо численно оценить при проектировании копланарной шины является ее индуктивность. Для большинства применений достаточно упрощенной модели бипланарной индуктивности, описанной в статье Биплоскостная индуктивность. При наличии вырезов, существенно влияющих на индуктивность, проектируемую шину можно разбить на прямоугольные участки, воспользоваться правилами Кирхгофа для анализа линейных электрических цепей и получить более точную оценку индуктивности копланарного проводника.

Развитие современных информационных технологий дало возможность применять численные методы решения системы дифференциальных уравнений электромагнитной динамики Максвелла в формате персональной электронно-вычислительной машины на рабочем столе инженера-конструктора.

Наиболее важными параметрами копланарных ламинированных проводников являются активное и реактивное сопротивления между различными точками подключений в проводниках на разных частотах, в частности, важнейшей характеристикой является индуктивность планарной шины между выводами силовых полупроводниковых приборов при замыкании положительных и отрицательных выводов конденсаторов идеальными проводниками с нулевой индуктивностью.

В качестве входных данных для определения матрицы активных и индуктивных сопротивлений на разных частотах используется окончательная 3D модель изделия, которая переносится в систему моделирования методом конечных элементов. Размер конечных элементов выбирается исходя из необходимой точности вычислений.

Результатом вычислений является матрица активных и реактивных сопротивлений между различными портами подключения ламинированного копланарного проводника в зависимости от частоты тока, что позволяет определить величину тепловых потерь в проводнике и величину коммутационных перенапряжений на выводах силовых полупроводниковых приборов.